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高附加值产品助推信息产业发展

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电子信息材料是指在微电子、光电子技术和新型元器件基础产品领域中所用的材料,主要包括单晶硅为代表的半导体微电子材料;激光晶体为代表的光电子材料;介质陶瓷和热敏陶瓷为代表的电子陶瓷材料;钕铁硼永磁材料为代表的磁性材料;光纤通信材料;磁存储和光盘存储为主的数据存储材料;压电晶体与薄膜材料;贮氢材料和锂离子嵌入材料为代表的绿色电池材料等。这些基础材料及其产品支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等现代信息产业发展。

近年来,电子信息材料总体发展趋势向着大尺寸、高均匀性、高完整性,及薄膜化、多功能化和集成化方向发展。当前的研究热点和技术前沿包括柔性晶体管、光子晶体、SiC、GaN、ZnSe等宽带半导体材料为代表的第三代半导体材料、有机显示材料及各种纳米电子材料等。

异恶唑-偶氮基-二酮类金属偶氮螯合物

关键词:金属偶氮螯合物 偶氮基 异恶唑 蓝光 生产工艺

项目简介:该专利是一种异恶唑-偶氮基-二酮类金属偶氮螯合物及其制备方法。该物质是含有4,5-二取代异恶唑-偶氮基-β-二酮类金属偶氮螯合物,其分子结构通式中的N代表氮;R1和R2既可相同也可不同,分别代表氢、甲基、乙基、叔丁基等1~10个碳原子数的直链或支链烷基基团;R3和R4既可相同也可不同,分别代表甲基、乙基、叔丁基等1~4个碳原子数的直链或支链烷基基团,或多氟烷基,或取代的亚胺基苯基,或取代的苯基,或杂环基;M为金属,如镍、铜、锰、锌、钴等。该物质可望用于蓝光可录光盘存储材料。

高密度光盘存储技术

关键词:光盘 高密度存储材料 金属有机材料

项目简介:“新型高密度存储材料的技术的基础研究”,通过了中科院组织的专家验收。专家们对该项目所取得的具有创新性和突破性的研究成果给予了高度评价。高密度可录DVD光盘(DVD-R)是在获得2000年国家科学技术进步奖二等奖可录CD(CD-R)光盘多项技术的基础上又取得的新发展。高密度DVD-R光盘7倍容量,相当于2800张1.44MB软磁盘。科研人员成功地合成了用于DVD-R的新型金 属有机材料,并用独立自主开发的制盘工艺制成了性能达到国际标准的DVD-R样盘,在国内是首创,为DVD-R产业化打下坚实基础。

目前该项目继早期发现酞菁的LB膜中存在着 一种热致相变过程,用工艺简单、快捷的旋涂膜技术取代复杂的LB膜技术,并观察到可逆相变现象,实现了30多次写、擦循环,开创了可擦重写光盘的新途径,属国际领先水平。

该项研究所取得的成果大大提高了中国光存贮科学技术的研究和开发水平。

电脑防护屏

关键词:玻璃 镀膜 防辐射材料 屏蔽材料

项目简介:采用简单的热蒸发工艺在浮法平板玻璃上蒸镀金属-介质薄膜的电脑防护屏,在可见光区域的表面平均反射率低于4%,透射率为40%左右。可以避免电磁波对人体的辐射损伤,保护视力,具有良好的市场前景。生产设备以采用具有二次蒸发的1.5×2m2的热蒸发幕墙玻璃镀膜设备改造为宜。设备投资如购买旧设备改造,则总投资额约为40万元左右,如购买新设备,约为80万元左右。生产厂房面积约600平方米,电力200千瓦(平均功率低于100千瓦),每面操作工人约10人。

该项目成本和利润分析如下:产品:30×250cm2电脑防护屏玻璃;月产量:80片/炉×20炉/日×20日/月=32000片;月产值:32000片×40元/片=128万元;年利润约达500万元左右。

光折变存储材料及应用

关键词:双掺铌酸 多波长读写光存储器 光存储器 三维光存储器

项目简介:研制成功光折变三维光子海量存储材料双掺铌酸锂晶体及其(固定式)存储器,发现了光散射光强阈值效应、紫外光折变增强效应等新效应和机制,有效地用于三维光子存储器的研制中,首次研制成功多波长读写的海量(固定式)光子存储器,其信息存储寿命超过20年,达到国际先进水平。目前正与多方共同努力推动该项目向产业化方向快速发展,其中晶体生长的产业化发展已有突破性进展,可望在今年实现其产业化,三维光子存储器也已与厂家签订联合共同开发协议,可望在近几年内实现其产业化。因此,它将作为下一代的主流存储设备,广泛地用于航空航天业、股票和期货、多媒体工作站、三维图像处理技术、影视业等行业,应用前景非常广阔,市场容量巨大。

光存储材料及应用

关键词:三维光存储材料 铌酸锂晶体 非线性光学晶体 光存储器

项目简介:首次在国际上发现光折变光散射光强阈值效应等新效应,并以此为基础,开发出高衍射效率、快光折变响应、强抗光散射能力及双掺铌酸锂晶体,研制成功三维全息光子存储器原理样机,同时,实现了计算机的接口。鉴定成果达到国际先进水平,现已申报专利4项。

铁电薄膜研制

关键词:铁电薄膜 钛酸钡

项目简介:利用溶胶凝胶法在单晶硅片上,制备出了组织均匀致密的钛酸钡薄膜,通过原材料的优化,使钛酸钡薄膜的形成温度比目前常用的原料降低约200℃,不仅缩短了薄膜的制备周期,而且使基片的选择范围大大拓宽。本研究制备的薄膜厚度约为0.150μm,折射率为1.9,在10KHZ的测试频率下,ε=40,tanδ=0.13。项目创新:利用二乙基己酸钡代替醋酸钡为原料,使薄膜的热处理温度明显降低。

主控程序与电子态分析程序

关键词:软件系统 主控程序 微观设计

项目简介:该系统的主控程序采用C语言自行设计编写,由用户界面、数据输入输出、公共数据库、计算和结构三维显示五个子模块组成,其中结构三维显示模块引用DTMM目标模块。电子态分析程序由从头算,CNDO、EHMO计算程序三个子模块组成。经标准算例验核、程序运行准确可靠。该软件系统数据输入手续简单,安装使用方便,可移植,亦可修改和扩充,是原子分子水平上进行材料微观结构与性质理论预测的有力工具。

变体材料及相关技术研究

关键词:磁流变体材料 智能减速器 流体材料

项目简介:该项目以解决汽车智能减振器项目研制中所急需的关键智能流体材料和研究该流变体的流变学规律。研制的磁流变体样品在重庆大学智能减振器研制应用中获得初步理想效果,磁场下的阻尼力比值达到美国Lord公司减振器水平,且获得理想的阻尼力-速度曲线;建立了较稳定的小批量试制工艺和较为合理的性能评价方法。

氧敏感发光材料研究

关键词:高灵敏度 氧敏感发光材料 荧光熄灭氧传感器

项目简介:该高灵敏度氧敏感发光材料由高灵敏度氧敏感发光物质经常规的固定化技术,固定在一定的无机或有机固体材料表面而获得。其中,高灵敏度氧敏感发光物质包括金属钉络合物、金属锇络合物、金属铅络合物、金属铂和钯络合物、金属金络合物、金属铼络合物、过渡金属卟啉络合物。一定的无机或有机固体材料是指硅胶、离子交换树脂、难溶金属氧化物、陶瓷材料、多孔硅、玻璃,以及可以吸附或键合这些物质的有机或无机高聚物。

光纤传感敏感材料生产及应用

关键词:敏感材料 光纤传感器 光纤材料 精密组装 显微加工

项目简介:光纤传感技术是新一代传感技术,是现代工业发展的重要技术基础。随着新材料和光电子技术的发展,促进了光纤传感技术成为当代迅速发展的高新技术领域。光纤传感新材料、光纤材料的精密加工及其元器件的制备新技术是实现光纤传感器规模化生产及应用的核心关键技术,是世界各国科学工作者研究的难点和热点。

光纤传感技术是集材料、传感、光电子、物理、化学、计算机等多学科、多种技术于一体的新技术。光纤传感器是通过敏感材料、光纤元器件等所组成的光电系统进行光学特性的传感(非电学特性传感),与传统的电类传感器相比,实现了调制、传输、检测全过程的现场非电检测。因此,它具有对电绝缘、本质防爆、抗电磁干扰,高精度、高可靠、可远程测量等特点,可直接在易燃、易爆、高温、高压、腐蚀性气氛、核辐射等等恶劣环境下安全操作使用。

该项目发挥本单位多学科和技术优势,经大量的试验研究,攻克了光纤传感器规模化生产必需的光纤传感探头敏感材料制备技术、光纤传感元件集成设计与光纤材料的显微加工技术、专用光电子器件设计与制备技术以及精密组装与质量保障技术等一系列关键技术,掌握了一套拥有自主知识产权的规模化生产技术。建设了国内能规模化生产系列光纤传感器的生产基地,已批量生产光纤温度类传感器、光纤光栅传感器、光纤阀位回讯器、光纤液位类传感器及专用光电子器件等系列产品。根据国家验收鉴定评定,其关键技术的水平达到国际先进水平。其产品已在全国16个省市、近十个行业的60余家大中型企业推广应用,武工大1999年以来创直接经济效益3500万元以上,为企业直接节支亿元以上,节汇125万美元,并开始出口创汇。

该项目成果打破了国外技术封锁和市场垄断,国内依赖进口的局面,大大增强了国际竞争力;对推动我国光纤传感技术的发展和促进相关工业的技术进步具有重要意义。

热磁敏感功能材料

关键词:热磁敏感功能材料 输电线路 防除冰材料

项目简介:该专题是针对输电线路严重覆冰导致断线、倒塔杆,给国民经济和人民生活造成巨大损失和不便,而开展的研究工作。

考核指标:材料Bs(20℃)≥0.4T,Tc≤80℃材料复铝后20℃时的发热值Q≤5w/kg,-5~0℃时≥14w/kg应用指标为有效防止冰灾。主要研究了输电线路防除冰材料,它是Fe-Ni-Cr-Mn-Si-Cu系低Tc,高Bs合金,可达到Tc<80℃,Bs>0.4T指标。用此合金线材采用旋压法或快速热镀法复铝(复铝层厚度为25%~40%),以螺旋形式缠绕在输电线路上,经现场试验有明显的防除冰效果。

为配合研究工作,设计和制造了物理模拟的单重发热值测量装置,该装置通过了北京市仪器仪表产品质量监督检验站的鉴定,对复铝-输电线表层交互作用的研究表明,复铝的热磁敏感材料适合做输电线的防除冰材料,它们之间不产生电化学腐蚀。

软磁材料技术开发调研

关键词:超微晶 软磁材料 开发调研

项目简介:该材料既具有铁基非晶材料饱和磁化强度高,又具有钴基非晶磁导率高的特点,是软磁材料发展的突破,其应用价值极高。

该调研报告是在查阅100余万字(其中日本发明专利申请公开73件) 原始资料基础上,对超微晶软磁材料的理论、生产工艺等进行了定性、定量系统的分析、比较及综合而成的。报告详细介绍了日本超微晶发明专利系列内容及其材料的生产工艺特征和性能特点。这些资料对我国超微晶软磁材料的开发应用具有重要的参考价值。本调研报告还特别指出,对具有较大商业价值的超微晶材料的开发及应用应注意专利保护问题。

永磁特性研究

关键词:不锈钢 永磁特性 不锈钢永磁材料

项目简介:该项目的主要目的就是通过实验研究开发出一类耐蚀可变形永磁材料。该项目从永磁材料的磁硬化机理出发,结合某些Fe-Cr-Ni系奥氏体不锈钢在特定状态下的相变特点,系统地研究了Fe-Cr-Ni系合金的成分、冷变形量、热处理等工艺参数,组织结构与永磁性能之间的变化规律,发现在相当宽的成分范围内合金具有永磁特性。在此基础上研制开发出了具有永磁性能、良好的韧性、弹性及不锈耐蚀性能的新型不锈永磁功能材料。

晶态及非晶态软磁铁芯

关键词:软磁铁芯 磁芯 非晶态磁芯 晶态磁芯 软磁材料

项目简介:晶态及非晶态软磁铁芯是新型电子器件及仪器仪表中不可缺少的部件,由于其具有性能高、重量轻、体积小的优点,目前被广泛应用在航空、航天、通讯、交通及家电等领域,是现代国防、工业生产及人民生活不可缺少的一种电磁交换器件。在现代国防建设中,性能优异、稳定的晶态软磁铁芯已成为雷达、制导、电子对抗等方面的重要器件。

该次选择的代表项目是近年授权的一种“磁补偿式霍尔电流传感器用非晶磁芯制法”成果,其特点是针对性强,性能稳定、可靠,在研制方法上有创新。

钕铁硼等永磁材料

关键词:钕铁硼永磁材料 烧结成型 稀土永磁材料

项目简介:钕铁硼等永磁材料是一类高性能永磁体材料,主要用于高性能电机、高磁能级磁体的制作,是国防军工、仪器仪表、能源交通及攻疗设备制造中的重要材料,尤其是钕铁硼永磁材料是一种新型永磁材料,它依托中国稀土储藏丰富的特点,具有很强的发展势头。上述材料可按用户使用要求加工成各种形态及尺寸,其性能指标达国内先进水平。目前该院生产的烧结型钕铁硼永磁材料其主要性能指标为:Br:1.33-1.37T;(BH)max:335-358kg/cm3;iHl:1114kA/m;HBC:860-907kA/m。铝镍钴系列永磁材料的主要性能指标为:Br:1.08T以上;HC:120kA/m;(BH)max:80kg/m3。

金属配合物设计结构与性质

关键词:结构 磁性金属配合物 设计

项目简介:该项目结合化学设计合成与多种理论与实验方法,系统研究了配合物型分子固体中磁性离子的相互作用、磁弛豫、磁有序等物理现象与分子结构、晶体结构、单离子各向异性等的关系,在发现新的磁现象,发展新型分子磁体和揭示机理等方面取得以下主要成果:利用1.1叠氮桥在具有大的磁各向异性离子Co(II)间传递铁磁作用,并采用合适的端基配体,合成了首例同自旋的“单链磁体”;在多种金属配合物中,利用抗磁离子和桥连配体,使顺磁离子处在近似单离子状态,发现其中有些化合物在外磁场下存在很慢的磁弛豫行为,对于这一新现象的深入研究有助于进一步揭示磁性的量子本质。利用开链二嗪类双(二齿)配体的潜在手性特征诱发自发拆分过程,首次获得了几种手性的叠氮桥Mn(II)配位聚合物分子磁体,并从结构上考察了手性的产生及其传递。设计合成多个系列结构新颖的氰根、叠氮、二氰胺、氰胺、甲酸等短桥连接分子磁体,特别是新的异金属(3d-4f,3d-3d",3d-4d)和混桥体系,研究了它们丰富的磁相态及其与结构的关系,为设计新型分子磁体提供了新的思路和方法。合成了多个结构新颖的含稀土磁性簇合物,并利用二元氨基酸将其中的立方烷组装成三维超立方烷;首先将密度泛函(DFT)理论结合对称性破损方法用于含稀土的异双核4f-3d分子的磁耦合常数的计算和其它双核、三核体系的计算。

磷酸铁锂研究

关键词:锂离子电池 磷酸铁锂 正极材料

项目简介:磷酸铁锂作为锂离子电池用正极材料具有良好的电化学性能,充放电平台十分平稳,充放电过程中结构稳定。同时,该类材料又具有无毒、无污染、安全性能好、可在高温环境下使用、原材料来源广泛、价格便宜等优点。该公司研制出的材料克容量超过160毫安时/克。

阳极氧化表面处理技术

关键词: 多孔硅阳极氧化表面处理技术半导体材料功能信息材料

项目简介:一种多孔硅阳极氧化表面处理技术,属半导体材料,确切说,功能信息材料的制备技术领域,包括多孔硅的阳极氧化表面处理工序和干燥处理工序,前道工序:在腐蚀槽内实施,把湿的、一个表面附有多孔硅的P型单晶硅片悬置于腐蚀槽内,向腐蚀槽注入H_2O_2水溶液,通电进行阳极氧化;后道工序:清洗和用常规的干燥方法干燥经前道工序处理的湿的、一个表面附有多孔硅的P型单晶硅片,制得干燥的多孔硅成品,具有设备简单、操作方便、精度控制容易、生产成本低和适用于工业生产的优点,适于用来对湿的多孔硅进行表面处理,制得干燥的多孔硅。

钝化多孔硅表面活性的方法

关键词: 钝化多孔硅表面活性半导体材料 功能信息材料

项目简介:该发明涉及一种钝化多孔硅表面活性的方法,属半导体材料(功能信息材料) 制备技术领域。该发明推出一种钝化多孔硅表面活性的方法。该法有设备简单、操作方便、产量高和适用于工业生产的优点。此外,经该法处理的湿的多孔硅,可用常规的干燥技术进行干燥处理,制得干燥的多孔硅,为多孔硅付诸实用铺平道路。该钝化多孔硅表面活性的方法,其特征在于,在制备多孔硅的同一个腐蚀槽内实施,当制备多孔硅完成时,立即把腐蚀槽内的腐蚀液换成浓度为0~25%的H2O2水溶液,继续通电氧化,在多孔硅表面生成一层致密的SO2薄膜,即钝化层,电流密度和通电时间分别为0~5mAcm~-2和0~15min。

黏结永磁体研究

关键词:永磁体铁氧体电子信息材料

项目简介:该课题组研究的注射成形稀土Sm2Fe_17N+BaM铁氧体黏结永磁可以期待具有以下优势:相同的磁能积,使用相对较少的Sm2Fe_17N稀土永磁粉即可达到。由于锶、钡铁氧体的矫顽力温度系数αHc>0,两种磁粉适当的混合比例,可望混合磁体的矫顽力温度系数αHc-0.3,由于锶、钡铁氧体磁粉是氧化物,黏结磁体的电阻率将会大大提高,从而更适合在高频场中使用。

飞秒激光和信息材料光电子特性研究

关键词:信息材料 飞秒激光器半导体量子阱色散不共轴性

项目简介:该申报奖励项目基于发展该省和中国信息科学技术的需要,发展超快激光技术并用于研究半导体、超导体和有机信息材料的光电子特性,取得了多项具创新性的研究成果。首次提出了飞秒激光器中的色散不共轴性理论(简称CDN),并提出降低和消除CDN效应的腔设计和工作条件,在实验上进行了验证。首次提出了克尔透镜锁模的"厚透镜"模型,物理意义明确,简化了计算,利于应用。还应用飞秒激光技术研究了半导体量子阱和 有机信息材料中的超快光电子特性,揭示了LT-GaAs中光电子飞秒级的弛豫过程和深能级缺陷态捕 获载流子机制等新结果。有机信息材料偶氮苯液晶薄膜记录光栅和长期存储特性的研究成果为这一材料的先驱性成果之一。

申请项目已完成发表的论文共有37篇,全部被SCI、EI收录,其中送审的20篇主要论文发表在“Appl. Phys. Lett.”、“Optical Letters”、“中国科学”等国内外重要杂志,己被他人引用20处,并有两篇被分别选为于德国和日本召开的国际学术会议邀请论文。该研究成果己达到国内领先、国际先进的学术水平,具有重要的科学意义和应用前景。

二苯乙醇酸硼锂

关键词: 二苯乙醇酸硼锂 电解质材料 锂电池 信息材料生产工艺

项目简介:超细是指平均粒径≤2um的二苯乙醇酸硼锂粉体,是一种环保型的锂电池电解质材料及重要的信息化学品新材料,广泛应用于二次锂电池的复合型聚合物电解质材料、墨粉(或色粉)的电荷调节剂、压敏材料及热敏材料中的显色剂。该项目研究开发了以苯甲醛、硼酸、锂盐为原料经安息香缩合、氧化、结构重排、酸化、络合、表面改性等化学、物理反应制备高纯超细二苯乙醇酸硼锂的新方法,填补了国内空白,达到国际先进水平。新工艺具有反应条件温和、操作简便、成本低、产品质量好等优点,在二苯乙醇酸与硼酸、锂盐的络合工艺条件方面具有创新性。

自旋电子材料研究

关键词:自旋电子材料过渡族金属氧化物

项目简介:该项目通过实验证明在Mn基钙钛矿结构氧化物中导电机制是晶格极化子,而在尖晶石结构化合物中导电机制是磁极化子导电,发现了两种从极化子到可变程跃迁导电过渡的现象;提出在Cr3+、Fe3+与Mn3+间存在双交换作用。开展了新型自旋相关器件的原理性研究,探索出持久光电导材料,为新型的光电器件的研制打下基础。开展了低维自旋电子材料的制备与物性研究,采用溶胶—凝胶工艺成功地制备出一系列多晶颗粒体系,获得了室温低场大的磁电阻效应。

纳米硅二极管

关键词: 纳米硅二极管纳米硅薄膜 电子材料

项目简介:该课题研究的纳米硅(nc-Si:H)薄膜是一种由大量硅细微晶粒(仅几个纳米大小)和包围着这些晶粒的晶间界面所组成的新型纳米电子材料。纳米硅薄膜(几个微米厚)中的晶粒是晶态的,晶粒大小为3~8nm,占整个膜层的体积百分比为50%;另外50%体积百分比则是由非晶态的硅原子构成的晶间界面区,其厚度为2~4个原子层。硅晶粒在薄膜中的分布是不规则的。这种新颖的结构使得纳米硅与现有的半导体材料单晶硅和非晶硅(a-Si:H)有着明显的区别并呈现出一系列鲜为人知的特殊性能。利用这一系列特殊性能我们可以用于研制新型的纳米硅器件,并且有可能让我们去开创一门崭新的产业为社会服务。

光成像单组分液体显景阻焊剂

关键词: 阻焊剂单组分液体显景光成像 电子材料

项目简介:光成像单组分液体显景阻焊剂(PCS-1型)是用于制作高密度多层印制电路版的电子材料,是STM和MCM新技术必须的新型阻焊剂,具有高分辨率、耐高温,绝缘性高和水显影加工等优点,有利于加工过程自动化,降低成本和提高可靠性。该产品采用当前国际上最先进的单组分型,在国外只有英国Coates公司等极小数公司生产,其他为双组分型产品,在使用时还需混合加工。该项目应用了多年从事光聚合理论和光固化技术研究的科研成果,开发出高性能的新型感光树脂体和具有超增感功能的复合光敏引发体系,并采用新型添加剂及复配技术和稳定化技术,成功开发出PCS-1型产品,各项性能均达到国家规定指标。

银玻璃粉研究

关键词: 银玻璃粉电子材料

项目简介:银玻璃粉是一种新的高技术无机电子材料,为金黄色半透明无定型粒状,研细后为淡白色重质粉末,主要成份:Ag2O,Bi2O2等。它加入到氧化锌电阻片成分中去,可以大大地改善氧化锌电阻片的电性能,特别是改善电阻片的老化寿命,适用于氧化锌电阻片及压敏电阻器的制造。

GaN基纳米光电子材料

关键词: 光电子材料LED器件材料生长

项目简介:该课题发明了一种厚度为1纳米的特殊过渡层和一种特定的硅表面加工技术,克服了外延材料和衬底之间巨大的晶格失配和热失配,在第一代半导体硅材料上,制备出高质量的第三代半导体GaN材料,成功地解决了硅衬底上制备的GaN单晶膜材料龟裂这一世界难题。并发明了一种高可靠性LED外延材料结构,制备了高质量的具有纳米量子阱结构的第三代半导体GaN基LED材料,攻克了硅衬底上GaN基LED可靠性差这一世界难题。另外还突破了硅衬底GaN基LED外延材料焊接与转移技术,解决了氮面GaN的欧姆接触技术,研制成功光输出功率1~9毫瓦(20毫安)的垂直结构的GaN基紫光、蓝光LED。


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